하이닉스반도체가 차세대 메모리반도체로 알려져 온 Z램 개발에 돌입했다. 제품 개발에 성공할 경우 그동안 메모리반도체 시장의 주류를 이뤄왔던 D램을 밀어내고 새로운 메모리 반도체 시대를 열게 된다.

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 스위스에 위치한 메모리 기술 개발 업체인 이노베이티브실리콘(Innovative Silicon ISI S.A)와 신개념 메모리 반도체인 ‘Z램’에 대한 라이센스 계약을 체결했다고 14일 밝혔다.

이번 계약에 따라 하이닉스반도체는 D램 업체로는 처음으로 이노베이티브실리콘로부터 Z램에 대한 라이센스를 취득하여 제품 개발을 진행하게 된다. 두 회사는 또한 양사의 연구 인력을 공동 투입해 제품 개발에 협력하기로 했다.

하이닉스는 향후 2~3년 간 Z램 개발을 위한 연구를 추진한다. 이후 시장성이 있다고 판단되면 본격적인 제품 양산에 들어갈 계획이다.

보통 D램의 기억 소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되는데 비해 Z램은 캐패시터 없이 트랜지스터로만 구성되어 있어 제품 크기는 물론 생산 비용까지 줄일 수 있을 것으로 기대되는 차세대 메모리 반도체이다.

D램 내부의 각 기억소자는 전하를 담는 역할을 하는 캐패시터와 캐패시터를 여닫는 스위치 역할을 하는 트랜지스터로 이루어져 있으며, 캐패시터가 전하를 담고 있으면 1, 전하를 담고 있지 않으면 0으로 처리되는 방식으로 데이터를 저장한다.

Z램은 실리콘 온 인슐레이터 구조를 이용하여 제작된 트랜지스터가 동작할 때 트랜지스터 내부에 불필요한 양전하가 쌓이는 단점을 역이용하여 이를 0과 1상태를 표현하는 것으로 이용한다는 개념을 활용, 별도의 캐패시터 없이도 데이터의 저장이 가능한 기술이다.

이에 따라 기억 소자가 차지하는 크기가 크게 줄고 구조도 간단해져 제품 미세화나 고용량화에도 유리해질 뿐만 아니라 제작 비용 또한 줄어드는 장점을 가진다.

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