[데일리그리드=윤정환 기자] 국내 기업의 반도체 극자외선(EUV) 공정 기술 특허가 지난해 급증한 것으로 나타났다. 올해도 내국인 기술 특허 수가 외국인을 크게 앞질렀다.

12일 특허청에 따르면 지난해 전체 EUV 노광기술 관련 특허는 50건으로 집계됐다. 이 중 내국인 출원은 40건, 외국인 출원은 10건으로 내국인 출원이 4배 많았다.

EUV 노광기술 출원에서 내국인 출원수가 외국인 출원 수를 넘어선 것은 지난 2011년 이후 처음이다. 

올해도 이 기조가 이어지고 있다. 지난 9월 30일 기준 전체 EUV 노광기술 출원 건수 48개 중 34개가 내국인, 14개가 외국인 출원으로 집계됐다.

특허청은 “지난해부터 내국인의 출원이 외국인 출원 건수를 앞서게 됐다”며 “국내 기술이 성장기에 접어들고 있는 것”이라고 분석했다.

최근 10년간 기업별 출원수를 보면 칼짜이스가 100건(18%), 삼성전자 82건(15%), ASML 63건(11%), 에스앤에스텍 43건(8%), TSMC 32건(6%), SK하이닉스 7건(1%) 순으로 집계됐다.

기술별 출원건수 비율은 공정기술 32%, 노광장치 기술 31%, 마스크 28%, 기타 9%로 나타났다. 우리기업은 공정기술과 마스크 분야 출원 수가 많아 강세를 보였다.

공정기술 분야에서는 삼성전자 39%, TSMC 15%로 두 기업의 출원이 54%를 차지한다. 

마스크 분야에서는 국내 기업인 에스엔에스텍 28%, 일본기업 호야 15%, 한양대 10%, 일본기업 아사히가라스 10%, 삼성전자 9% 순이다.

최미숙 특허청 반도체심사과 특허팀장은 “EUV 노광공정 및 마스크 분야에서 우리나라 기업·학계가 선전하고 있다”며 “4차 산업혁명과 함께 고성능·저전력 반도체 제조를 위해 EUV 노광기술이 더욱 중요해질 것”이라고 말했다.

한편, EUV 노광기술은 기존 불화아르곤(ArF) 레이저보다 10분의 1 미만 짧은 파장을 갖는 극자외선을 이용해 반도체 회로 패턴을 그리는 공정이다. 10나노 이하 초미세 최첨단 회로 패턴을 그리기 위해 필수적이다.