“실리콘 기술은 계속 진화 발전해 새롭고 예기치 못했던 혜택을 우리에게 제공해줄 것이다.”

김기남 삼성전자 종합기술원 원장은 6일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 2010 반도체학회(International Electron Devices Meeting, 이하 IEDM)에서 기조연설을 통해 이같이 전망했다.

김 원장은 ‘미래 실리콘 기술 전망: 도전과 기회’를 주제로 한 연설에서, “실리콘 기술이 여러 도전들에 직면해 있는 것은 사실이지만 10 나노미터 이하로 계속 발전해 가는데 한계가 없을 것”이라고 밝혔다.

이어 “실리콘 기술의 한계는 신공정, 신구조, 신물질을 통해 극복될 수 있을 것이며 실제로 새로운 구조를 적용한 3D NAND, ReRAM(외부 인가 전압에 따른 저항변화 특성을 이용한 메모리) 등 차세대 실리콘 기술이 대표적 사례”라고 덧붙여 설명했다.

김 원장은 특히, 직접회로를 3차원 단일칩으로 구현해 회로의 적층 방식을 기존의 수평방식에서 수직방식으로 전환한 기술인 3D IC가, 현재 기술 노드 수준에서도 실행 가능한 고집적•고용량 솔루션이 될 것으로 전망했다.

아울러 스마트 디바이스의 등장으로 2020년경에는 컴퓨팅 파워와 저장 용량이 현재보다 60배 이상 요구될 전망에 따라, 저전력, 고용량, 고집적도의 실리콘 기술은 앞으로 더욱 발전할 것이라고 내다봤다.

김 원장은 “실리콘 기술과 화합물 반도체, 광기술 等이 융합된 새로운 기술이 부상하게 될 것이다. 바이오헬스, 에너지, 자동차, 로봇 等 여러 분야에 융합기술이 적용 미래 실리콘 산업의 새로운 성장엔진이 될 수 있을 것”이라고 밝혔다.

<데일리그리드>