하이닉스반도체(대표
이번 성과는 지난해 1기가비트 모바일 DDR 제품 개발 이후 8개월 만에 개발에 성공한 것으로, 모바일 LPDDR2의 국제 표준화를 이끄는 계기가 될 것이라고 회사 측은 밝혔다.
새 제품은 1.2V의 전압에서 업계 최고속인 800Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 급속히 발전하고 있는 모바일 기기에 최적화된 제품이다.
또한 66나노 초미세 공정이 적용되어 9mm x 12mm 크기로 경쟁력 있는 패키지가 가능하다. 이와 함께 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한 ‘원 칩 솔루션’ 기능을 갖추고 있어 이를 탑재하는 기기의 사양에 맞추어 변경할 수 있다.
이번 제품은 올해 4분기부터 양산할 예정이다.
하이닉스는 올해 수익성 선두 탈환을 위해 모바일 D램을 비롯한 고부가가치 제품의 비중을 대폭 늘릴 계획이다. 특히 모바일 D램의 경우 신제품 적기 개발 및 판매 강화로 현재 7% 정도인 시장 점유율을 3배 가량 확대할 방침이다.