하이닉스반도체는 1Gb(기가비트) 모바일 D램 개발, 내년 1분기부터 양산에 들어간다고 12일 밝혔다.

하이닉스가 이번에 개발한 제품은 데이터 저장 용량이 1Gb로 대용량이며, 현재까지 개발된 1Gb 모바일 D램 제품 중 크기가 가장 작고 데이터 처리 속도가 또한 가장 빠르다.

모바일 D램은 휴대전화 등에 주로 사용되며, 최근 휴대용 전자기기가 급속히 소형화, 대용량화, 고속화되고 있어 이와 같은 경향에 맞춘 모바일 D램 제품에 대한 수요가 높아지고 있다.

회사 측의 설명에 따르면 이번에 개발된 모바일 D램은 66나노 공정기술을 이용, 60나노급 공정으로는 세계 최초로 개발되어 상용화되는 제품.

초미세 공정을 사용함에 따라 크기가 획기적으로 줄어들어 다양한 초소형 전자기기 및 메모리 제품에 적용할 수 있다.

이 제품은 최대 200MHz(메가헤르츠)로 동작하고 32개의 정보출입구(I/O)를 통하여 최대 초당 1.6GB(기가바이트)가량의 데이터를 처리할 수 있다.

또 전력소비를 최소화할 수 있도록 설계되어 많은 양의 데이터를 보다 빠르게 처리하면서도 배터리 소모는 최소한으로 유지할 수 있다.

하이닉스는 다양한 소형 메모리 제품에 적용이 가능한 제품의 특성을 살려 낸드 플래시와 D램을 적층해 만든 `낸드 멀티칩 패키지(NAND MCP)`와 패키지 위에 패키지를 얹는 `패키지 온 패키지(PoP)` 등 다양한 형태로 생산할 예정이다.

또 노어 멀티칩 패키지(NOR MCP) 및 시스템 인 패키지(SiP) 등의 업체에는 웨이퍼 상태로 제품을 공급할 수 있도록 `KGD(Known Good Die)` 형태로도 제작할 계획이다.